5g时代来临，存储技术以及其相关产业链如存储芯片的测试,lpddr测试治具，ufs芯片测试治具等等，都将面临新的挑站。
日前，第三届高通骁龙技术峰会上，高通宣布新一代旗舰处理器骁龙855正式亮相，联发科也正式宣布推出首款5g基带芯片mtk helio m70，引爆5g手机市场商机。市场预计，2019年三星、华为、oppo、vivo、小米、中兴、谷歌等手机制造商5g手机将会陆续上市，给全球低迷的智能型手机市场需求带来成长动能。
相对于lpddr4，全新的lpddr5传输速度最高可达到6400mbps，这是lpddr4的两倍。lpddr5引入了全新的wck时钟的双差分时钟系统，差分时钟能提高频率。lpddr5支持ecc功能，这样就能允许从传输错误或者存储电荷丢失中恢复数据。lpddr5降低功耗，这也是对移动设备更好的支持。
三星已在2018年7月份推出业界首款10nm级8gb lpddr5，并完成8gb lpddr5（八颗8gb lpddr5封装）功能测试和验证，将在韩国平泽工厂量产，开始向lpddr5标准过渡。
此外，sk海力士也宣布成功开发1ynm 16gb ddr5，支持5200mbps的数据传输速率，比ddr4 3200mbps快约60%，功耗降低30%，每秒可处理41.6gb数据，将在2020年大规模量产。与ddr4相比，ddr5具有超高速、高密度、低功耗等优势，适用于大数据、人工智能和机器学习等数据密集型应用。
2018年3月jedec公布了ufs 3.0标准，全新ufs 3.0引入mipi m-phy v4.1物理层规范和mipi uniprosm v1.8传输层规范，单通道理论带宽提升到11.6gbps，传输速度是ufs 2.1的2倍，双通道最高达23.2gbps。ufs 3.0还可通过多通道继续提升传输带宽，在双通道和四通道配置下带宽分别可达到23.2gbps和46.4gbps。
此外，ufs 3.0使用2.5v vcc电压降低功耗，支持最新nand flash技术；温度范围也从-25至85度扩展为- 40度至105度，若在手机上实现商用，便可避免在极高、低温环境下，手机停止工作的情况；同时还符合车载汽车、监控、工业等领域对宽温的高要求。
随着处理器性能的不断提升，存储性能在手机上的重要性逐渐凸显，三星、东芝、西部数据、sk海力士、美光等均加快布局下一代存储技术ufs3.0和lpddr5，并成为下一代高端旗舰智能机的亮点。
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