说到手机族最怕看到的弹出信息，除了“电量不足”和“网络无法连接”外，应该就是“您的存储空间已满”。
导致空间不足的原因很多：
一是智能手机应用的使用量大幅增加，手机app的实际大小也在不断提高。2017年，移动应用的平均大小在ios 系统中大约为38mb，在android 系统中大约为15mb。
二是在较为流行的app中，基本上都有照片及视频采集功能，而且目前所采集的内容也明显更加先进和复杂。一小时1080p高清视频，在每秒30帧的情况下，需要大约7.6gb空间，而在每秒60 帧的情况下需要大约11.7gb空间。一小时4k ultra 视频需要大约21.9gb空间。
16gb和32gb明显已经out了，3d nand应需而生。
几十年来，闪存技术一直基于二维平面，受到芯片面积的限制，2d技术已经达到了其极限。3d nand存储单元能够在各个层面上进行垂直堆叠，并且通过传播电荷的导线进行连接，“这种垂直堆叠方式能够在相同的物理空间中实现更大的存储密度，而不受芯片边界的限制，并且比2d nand 更可靠。”
3d nand架构中每个存储单元之间的空间比2d nand更宽松，从而支持存储设备更快地写入（或传输）数据。更宽松的单元空间还能够减少同一个层面上每个相邻3d nand 单元之间的噪声和“单元对单元”干扰，从而带来比2d nand 更高的存储数据完整性。
据悉，西部数据在2017年发布的第四代96层3d nand，将于2018年q3抢先进入量产，fab工厂每天产量可达8500片晶圆。先期以96层tlc 245gb/512gb为主，q4开始量产96层qlc 1tb，tb存储级别的手机，想想就激动。
随着时代的快速发展，市场变化对于芯片的要求也是越来越高。一颗好的闪存在进入产品前要经过无数次的测试工作。鸿怡电子应对更新换代的闪存市场，也在不停的调整自身的产品方向。针对nand flash的测试治具也在不断的优化改进。旨在为客户提供更好的芯片测试治具及更好的服务！
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