根据鸿怡电子多年针对半导体功率器件igbt测试座socket的经验，总结出此类客户的测试条件要求以及相关的物理知识（仅供参考），欢迎大家一起讨论.....
1、mosfet具有开关速度快，电压控制的优点，缺点是导通电压降稍大，电流、电压容量不大；双极型晶体管却与它的优点、缺点互异。因而产生了使它们复合的思想；控制时有mosfet管的特点，导通时具有双极型晶体管特点，这就产生igbt（insulated gate bipolar transistor）管研制的动机，该管称为绝缘栅双极晶体管，但因为有晶体管的特性，他的工作频率大大降低。
2、n沟道vdmosfet与gtr组合形成n沟道igbt（n-igbt）igbt比vdmosfet多一层p 注入区，形成了一个大面积的p n结。使igbt导通时由p 注入区向n基区发射少子，从而对漂移区电导率进行调制，使得igbt具有很强的通流能力。
3、结构、符号及工作原理。
igbt的开通和关断是由门极电压来控制的。当门极加正电压时，mosfet内形成沟道，并为pnp晶体管提供基极电流，从而使igbt导通。因此imos为igbt总电流的主要部分。此时，空穴p 区注入到n-区，从而在n-区内产生高浓度的电子，减小了n-区的电阻rd值，使高耐压的igbt也具有低的通态压降。
当门极加负电压时，mosfet内的沟道消失，pnp晶体管的基极电流被切断，igbt即被关断。由于注入到n-区的空穴是少子，存在少子存储现象。n-区的少子需要时间复合消失，因此igbt的开关速度比mosfet慢。
最后汇总下半控型和全控型功率器件的特性，见下表。
igbt功率器件测试座案例参考（由鸿怡电子提供案例）
sot227封装igbt老化座
老化测试温度：-40°~ 150°
老化测试时长：1000小时
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