dft设计是芯片设计过程中很重要的一个环节，其目的是为wafer level test提供高效快速的测试方法。wafer level test要测哪些内容呢，下面逐一展开描述。
function test（功能测试）
芯片在生产制造过程中会引入各种故障，通常会引起功能的失效。这些失效包括stuck-at fault，open fault，bridge fault等。
stuck-at & open
bridge
这些故障通常可以基于芯片设计时插入的scan chain，用atpg（对于memory用mbist方法，对于flash按照vendor的测试方法设计bist）产生测试pattern进行筛选测试，从而剔除有功能故障的芯片。
delay test（延迟测试）
除了功能故障之外，先进工艺的芯片还会有时序故障。delay test的目的是剔除有timing related defect 的芯片（即时序不满足要求的芯片）。基于scan-at-speed的策略使用launch from capture 和lanuch from shift的方法来实现at-speed测试。在设计层面需要在scan模式下利用on-chip pll提供at-speed模式需要的高速工作时钟。
parameter test（参数测试）
除了基于功能和时序的测试，还需要进行基于电流、电压的测试来筛选掉一些“顽固”的芯片。通过iddq测试，剔除静态电流不符合规范的芯片，通过very low voltage test可以更容易发现时序不满足的芯片，通过stress test（高压高温）加速芯片的寿命更容易剔除gate oxide 失效。
以上是芯片wafer level测试常用的测试方法，这篇算是抛砖引玉，后续针对dft我们会推出更多的实用文章，请大家持续关注鸿怡电子官方网站----此篇内容转载！！
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