关于芯片测试的几个术语|行业资讯 -九游会平台

名词解释

• wat=wafer acceptance test

• cp=chip probing

• ft=final test

• wat：wafer level的管芯或结构测试

• cp：wafer level的电路测试含功能

• ft：device level的电路测试含功能

• wat是对专门的测试图形（test key）的测试，通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定；
  

• cp是wafer level的chip probing，是整个wafer工艺，包括backgrinding和backmetal（if need），对一些基本器件参数的测试，如vt（阈值电压），rdson（导通电阻），bvdss（源漏击穿电压），igss（栅源漏电流），idss（漏源漏电流）等，一般测试机台的电压和功率不会很高；

• ft是packaged chip level的final test，主要是对于cp passed ic或device芯片应用方面的测试，有些甚至是待机测试。

• cp测试主要是挑坏die，修补die，然后保证die在基本的spec内function well，减少了封装和测试的成本，可以更直接的知道wafer的良率。

• ft是把坏的chip挑出来；主要是package完成后，保证die在严格的spec内能够function，检验的是封装的良率。

• cp对整片wafer的每个die来测试

• ft则对封装好的chip来测试

• cp的难点在于，如何在最短的时间内挑出坏die，修补die。

• ft的难点在于，如何在最短的时间内，保证出厂的unit能够完成全部的function。

• cp是对wafer进行测试，检查fab厂制造的工艺水平

• ft是对package进行测试，检查封装厂制造的工艺水平

cppass才会去封装，然后ft，确保封装后也pass。pass ft还不够，还需要做process qual和product qual。cp测试对memory来说还有一个非常重要的作用，那就是通过mra计算出chip level的repair address，通过laser repair将cp测试中的repairable die修补回来，这样保证了yield和reliability两方面的提升。

现在对于一般的wafer工艺，很多公司多把cp给省了，为了减少成本。对于测试项来说，有些测试项在cp时会进行测试，在ft时就不用再次进行测试了，节省了ft测试时间；但是有些测试项必须在ft时才进行测试（不同的设计公司会有不同的要求）。

一般来说，cp测试的项目比较多，比较全；ft测的项目比较少，但都是关键项目，条件严格。但也有很多公司只做ft不做cp（如果ft和封装yield高的话，cp就失去意义了）。

• cp一般是在测试晶圆，封装之前看，封装后都要ft的。不过bumpwafer是在装上锡球，probing后就没有ft。

• ft是在封装之后，也叫“终测”。意思是说测试完这道就直接卖去做application。

• cp用prober，probe card，ft是handler，socket。

• cp比较常见的是room temperature=25度，ft可能一般就是75或90度。

• cp没有qa buy-off（质量认证、验收），ft有。

• cp两方面

1. 监控工艺，probe实际属于fab范畴。

2. 控制成本。ft封装和测试成本是芯片成本中比较大的一部分，所以把次品在probe中reject掉或者修复，最有利于控制成本。

• ft:终测通常是测试项最多的测试了，有些客户还要求3温测试，成本也最大。至于测试项呢

1. 如果测试时间很长，cp和ft又都可以测，像trim项，加在probe能显著降低时间成本，当然也要看客户要求。

2. 关于大电流测试呢，ft多些，有时测十几安培的功率mosfet，一个pad上十多个needle。

3. 有些pad会封装到device内部，在ft是看不到的，所以有些测试项只能在cp直接测，像功率管的gate端漏电流测试igss。

在测试方面，cp比较难的是探针卡的制作，并行测试的干扰问题。ft相对来说简单一点。还有一点，memory测试的cp会更难，因为要做redundancy analysis，写程序很麻烦。

cp在整个制程中算是半成品测试，目的有两个。一个是监控前道工艺良率，另一个是降低后道成本（避免封装过多的坏芯片），其能够测试的项比ft要少些。最简单的一个例子，碰到大电流测试项cp肯定是不测的（探针容许的电流有限），这项只能在封装后的ft测。不过许多项cp测试后ft的时候就可以免掉不测了（可以提高效率），所以有时会觉得ft的测试项比cp少很多。

应该说wat的测试项和cp/ft是不同的。cp不是制造（fab）测的！而cp的项目是从属于ft的（也就是说cp测的只会比ft少），项目完全一样的；不同的是卡的spec而已；因为封装都会导致参数漂移，所以cp测试spec收的要比ft更紧以确保最终成品ft良率。还有相当多的dh把wafer做成几个系列通用的die，在cp是通过trimming来定向确定做成其系列中的某一款，这是解决相似电路节省光刻版的最佳方案；所以除非你公司的wafer封装成device是唯一的，且wat良率在99%左右，才会盲封的。盲封的dh很少很少，风险实在太大，不容易受控。