ic封装测试工艺流程（二）|行业资讯 -九游会平台

ic package (ic的封装形式)

.qfn –quad flat no-lead package四方无引脚扁平封装

.soic—small qutine ic小外形ic封装

.tssop—thin small shrink qutline package薄小外形封装

.qfp—quad flat package四方引脚扁平式封装

.bga—ball grid array package球栅阵列式封装

.csp—chip scale package芯片尺寸级封装

ic封装原材料

1、晶圆（wafer）

2、引线框架（lead frame）

提供电路连接和die的固定作用；

主要材料为铜，会在上面进行镀银、nipdau等材料；

l/f的制程有etch和stamp两种；

易氧化，存放于氮气柜中，湿度小于40%rh；

除了bga和csp外，其它package都会采用lead frame,bga采用的是substrate;

3、焊接金线（gold wire）焊接金线

实现芯片和外部引线框架的电性和物理连接；

金线采用的是99.99%的高纯度金；

同时，出于成本考虑，目前采用铜线和铝线工艺的，优点是成本降低，同时工艺难度加大，良率降低；

线径决定可传导的电流，0.8mil, 1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils

4、塑封料/环氧树脂（mold compound）

主要成分为：环氧树脂及各种添加剂（固化剂，改性剂，脱模剂，染色剂，阻燃剂等）；

主要功能为：在熔融状态下将die和lead frame包裹起来，提供物理和电气保护，防止外界干扰；

存放条件：零下5℃保存，常温下需回温24小时；

5、银浆（epoxy）

成分为环氧树脂填充金属粉末（ag）;

有三个作用：将die固定在die pad上，散热作用，导电作用；

-505℃以下存放，使用之前回温24小时。