sk海力士1ynm ddr4芯片完成：8gb容量，功耗降低15％|行业资讯 -九游会平台

11月12日，sk海力士宣布已开发出基于1ynm工艺的8gb（1gb）容量ddr4 dram芯片。该芯片支持高达3200mbps或3200mhz，并声称可提供最佳性能和容量密度。在技术指标方面，与1xnm相比，1ynm芯片的生产率提高了20％，功耗降低了15％。

sk海力士还表示，新的1ynm芯片还显着提高了传感器的精度，调整了晶体管结构，并降低了数据传输的错误率。

据该官方称，1ynm ddr4 dram芯片将于明年第一季度发货，将首先用于服务器和pc产品，最后用于手机和其他领域。

科普：

在存储器芯片从20 nm进入10 nm工艺之后，制造商对该工艺的描述不再使用特定数字。在20nm之后，它是1xnm工艺，然后是1nm工艺和1znm工艺。至于xyz的具体含义，由于每个公司的流程不尽相同，因此没有详细说明。

鸿怡电子为您提供用于ddr高速测试的ddr gcr / pcr测试夹具，测试治具寿命更长，测试更精准，可过更高频率。如果您有任何需求，请随时与我们联系！