ic package (ic的封装形式)
.qfn –quad flat no-lead package 四方无引脚扁平封装
.soic—small qutine ic 小外形ic封装
.tssop—thin small shrink qutline package 薄小外形封装
.qfp—quad flat package 四方引脚扁平式封装
.bga—ball grid array package 球栅阵列式封装
.csp—chip scale package 芯片尺寸级封装
ic封装原材料
1、 晶圆（wafer）
2、 引线框架（lead frame）
提供电路连接和die的固定作用；
主要材料为铜，会在上面进行镀银、nipdau等材料；
l/f的制程有etch和stamp两种；
易氧化，存放于氮气柜中，湿度小于40%rh；
除了bga和csp外，其它package都会采用lead frame,bga采用的是substrate;
3、 焊接金线（gold wire）焊接金线
实现芯片和外部引线框架的电性和物理连接；
金线采用的是99.99%的高纯度金；
同时，出于成本考虑，目前采用铜线和铝线工艺的，优点是成本降低，同时工艺难度加大，良率降低；
线径决定可传导的电流，0.8mil, 1.0mil ，1.3mils，1.5mils和2.0mils
4、 塑封料/环氧树脂（mold compound）
主要成分为：环氧树脂及各种添加剂（固化剂，改性剂，脱模剂，染色剂，阻燃剂等）；
主要功能为：在熔融状态下将die和lead frame包裹起来，提供物理和电气保护，防止外界干扰；
存放条件：零下5℃保存，常温下需回温24小时；
5、 银浆（epoxy）
成分为环氧树脂填充金属粉末（ag）;
有三个作用：将die固定在die pad上，散热作用，导电作用；
-505℃以下存放，使用之前回温24小时。
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