功率器件及第三代半导体是当前的半导体产业技术追逐的热点，也是国内半导体产业中最有希望能够赶超世界先进技术的领域之一。
现在众多国产功率半导体厂商已经在材料、设计、制造、封测等各个环节成功突围，逐渐形成自主可控的完整产业链。但是在产业最上游的高端封装设备领域，却仍以国外企业为主导，为加速推动功率半导体高端封装，制造设备国产化进程已经刻不容缓。
伴随着功率半导体时代到来，clip bond封装工艺在此可以说是大有作为，相对数字集成而言，功率半导体并不是单纯追求的缩小，且生命周期长，市场空间大，可应用于几乎所有的制造业，包括工业控制、通信、消费电子、新能源、汽车、轨道交通、智能电网等。
我国作为全球最大的功率半导体消费国，经过多年自主研发和引进吸收外来技术，国内功率半导体领域的工艺能力不断突破，已经在功率、、、中低压、ic等领域具备一定竞争力。
为了提高分立器件的成品率和可靠性，分立器件封装与测试企业正在为新产品研发更先进的封装工艺及封装技术。在大电流、高电压等应用场景需求催生下，以clip bond为代表的新型分立器件封装工艺迅速崛起，其具备提高电流承载能力、提升器件板级可靠性、有效降低器件热阻、提高封装效率等优势，已成为国内众多主流功率器件厂商掌握的主要封装工艺技术，并在工业控制、新能源汽车等领域广泛得到应用。
针对对功率半导体封装技术提出了新的要求小型化、功能系统化、封装以及大电流的特点我司设计生产了pdfn5*6、pdfn3333、toll-8*10等封clip bonding封装的老化测试座或者说测试夹具socket。针对需求量大、电流大、耐温高、自动化等特点把老化测试座或者说测试夹具。该老化座采用pei耐高温塑胶材料注塑成型，适用于长时间高温高湿环境下老化（htol/hast）且交期短；采用按压式结构，适用于自动化大批量放取mos场效应管器件，大大提高测试效率，从而提高日产能。
下面为适配芯片
封装为pdfn-8l尺寸8*8。是升级代替to-220/263的20%，也是替代升级sot-23-5/6的70%。特点是超博、n沟道sgt mos大电流功率器件。
下图为我司设计对应的老化座/老化夹具
pdfn/toll大电流大功率老化座特点：
① 采用双头测试探针，寿命高，维修容易，pcb板可重复利用；
② 子外壳采用特殊的工程塑胶，强度高、寿命长；
③ 采用大电流进口镀镍金pogopin，过流能力强，接触阻抗小、弹性好、寿命长；
④ 金层加厚，触点加厚电镀，接触稳定超低接触阻抗、抗氧化程度高；
⑤ 用于pdfn/toll/to/sot等封装的大功率mos场效应管器件；
大电流大功率老化座的材料特性：
①socket本体：pei；
②探针材料：铍铜；
③针镀层：镍金；
④作压力：30.0g@pin，pin越多压力越大；
⑤绝缘阻抗：1,000mω 500vdc；
⑥接触阻抗：＜100mω；
⑦使用温度：-55℃~175℃@3000小时；
⑧机械寿命：15000次；
此外我司还有包括下列产品的老化测试座
pdfn5*6封装的n p双沟ap15g04df场效应管mos管老化座。
pdfn3333封装n通道vs3618be场效应管mos管老化座。
pdfn3*3封装以pdfn5*6封装n沟道mos场效应管老化夹具。
toll-8*10封装的东芝tk065u65z场效应管mos管老化座。
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此外还支持非标准封装的ic老化测试座一件起订服务，需求量庞大的情况下可采用开模具注塑的形式降低生产成本的同时缩短生产周期。
知识补充：clip bond 封装介绍
cu clip即铜条带，铜片。
clip bond即条带键合，是采用一个焊接到焊料的固体铜桥实现芯片和引脚连接的封装工艺。
键合方式：
1、全铜片键合方式
gate pad 和 source pad均是clip方式，此键合方法成本较高，工艺较复杂，能获得更好的rdson以及更好的热效应。
2、铜片加线键合方式
source pad为clip 方式, gate为wire方式，此键合方式较全铜片的稍便宜，节省晶圆面积（适用于gate极小面积），工艺较全铜片简单一些，能获得更好的rdson以及更好的热效应。
与传统的键合封装方式相比，cu clip技术优点：①芯片与管脚的连接采用铜片，一定程度上取代芯片和引脚间的标准引线键合方式，因而可以获得独特的封装电阻值、更高的电流量、更好的导热性能。②引线脚焊接处无需镀银，可以充分节省镀银及镀银不良产生的成本费用。
③产品外形与正常产品完全保持一致
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