鸿怡电子带您详细了解关于半导体芯片可靠性测试与芯片测试座socket-九游会平台

一、加速度测试

大多数半导体器件的寿命在正常使用下可超过很多年。 但我们不能等到若干年后再研究器件；我们需要增加施加的应力。 施加的应力可增强或加快潜在的故障机理，帮助找出根本原因，并帮助 ti 采取措施防止故障模式。

在半导体器件中，常见的一些加速因子为温度、湿度、电压和电流。 在大多数情况下，加速测试不改变故障的物理特性，但会转移观察时间。 加速条件和正常使用条件之间的转移称为“降额”。

高加速测试是基于 jedec 资质认证测试的关键部分。 以下测试反映了基于 jedec 规范 jesd47 的高加速条件。 如果产品通过这些测试，则表示器件能用于大多数使用情况。

根据jesd22-a104 标准，温度循环 (tc) 让部件经受极端高温和低温之间的变换。 进行该测试时，将部件反复暴露于这些条件下经过预定的循环次数。1、温度循环

2、高温工作寿命 (htol)

htol 用于确定高温工作条件下的器件可靠性。 该测试通常根据 jesd22-a108 标准长时间进行。

3、温湿度偏压 (thb)/偏压高加速应力测试 (bhast)

根据 jesd22-a110 标准，thb 和 bhast 让器件经受高温高湿条件，同时处于偏压之下，其目标是让器件加速腐蚀。 thb 和 bhast 用途相同，但 bhast 条件和测试过程让可靠性团队的测试速度比 thb 快得多。

4、热压器/无偏压 hast

热压器和无偏压 hast 用于确定高温高湿条件下的器件可靠性。 与 thb 和 bhast 一样，它用于加速腐蚀。 与这些测试不同的是，不会对部件施加偏压。

5、高温存储

hts（也称为“烘烤”或 htsl）用于确定器件在高温下的长期可靠性。 与 htol 不同，器件在测试期间不在运行条件下。

6、静电放电 (esd)

静电荷是静置时的非平衡电荷。 通常情况下，它是由绝缘体表面相互摩擦或分离产生；一个表面获得电子，而另一个表面失去电子。 其结果是不平衡的带电条件，也称为静电荷。

当静电荷从一个表面移到另一个表面时，它便成为静电放电 (esd)，并以微型闪电的形式在两个表面之间移动。

当静电荷移动时，就形成了电流，因此可以损害或破坏栅氧化物、金属层和接点。

jedec 通过两种方式测试 esd：

1. 人体模式 (hbm)

一种组件级应力，用于模拟人体放电累积的静电荷通过器件到地面的行为。

2. 带电器件模型(cdm)

- 一种组件级应力，根据 jedec jesd22-c101 规范，模拟生产设备和过程中的充电和放电事件。

综上所述、根据鸿怡电子多年针对芯片可靠性测试座socket的制作经验，htol、hast属于芯片老化测试下面的其中两种，这里需要记住的重点知识：芯片不一定做htol测试或者hast测试，但一定会进行芯片老化测试，所以各位芯片测试工程师在进行芯片测试的时候一定要搞清楚这点（最近很多客户的芯片测试工程师都在问这个问题）