鸿怡电子芯片测试工程师：qfn芯片测试座的特点、参数、结构,qfn芯片测试座选配-九游会平台

qfn/dfn封装翻盖/下压结构测试座支持eeprom，驱动器ic，电源ic等

鸿怡电子qfn芯片测试座工程师介绍：qfn芯片测试座、老化座、烧录座—009系列，下压开窗结构，适用自动化测试机台

qfn芯片测试座特点与参数：

1、socket壳体:pei

2、弹片材料:铍铜

3、弹片镀层:镍金

4、操作压力:2.0kgmin，与pin数成正比

5、接触阻抗:50mωmax

6、耐压测试:700v ac for lminute

7、绝缘阻抗:1000mω500v dc

8、最大电流:1a

9、使用温度:-40°c- 155°c

10、机械寿命:10000次(机械测试)

qfn封装系列芯片测试座0.35mm间距：

qfn封装系列芯片测试座：0.4mm间距：

qfn封装系列芯片测试座：0.5mm间距：

qfn封装系列芯片烧录座：

qfn系列芯片老化测试座：（鸿怡qfn芯片测试座工程师提供资料）

适用规格:16~88pin,0.4、0.5引脚间距qfn封ic

支持频率:≤300mhz

温度范围:-40℃~155℃

操作力压:35g每pin，pin越多需要压力越大

额定电流:单pin1a

接触电阻:≤100毫欧

绝缘电阻:dc500v1000兆欧以上

带pcb转接板烧录座：