pdfn/toll/to等封装的大电流大功率半导体器件mos场效应管老化测试座测试夹具工装老化插座socket
针对对功率半导体封装技术提出了新的要求小型化、功能系统化、封装以及大电流的特点我司设计生产了pdfn5*6、pdfn3333、toll-8*10等封clip bonding封装的老化测试座或者说测试夹具socket。针对需求量大、电流大、耐温高、自动化等特点把老化测试座或者说测试夹具。该老化座采用pei耐高温塑胶材料注塑成型，适用于长时间高温高湿环境下老化（htol/hast）且交期短；采用按压式结构，适用于自动化大批量放取mos场效应管器件，大大提高测试效率，从而提高日产能。
下面为适配芯片
封装为pdfn-8l尺寸8*8。是升级代替to-220/263的20%，也是替代升级sot-23-5/6的70%。特点是超博、n沟道sgt mos大电流功率器件。
下图为我司设计对应的老化座/老化夹具
pdfn/toll大电流大功率老化座特点：
① 采用双头测试探针，寿命高，维修容易，pcb板可重复利用；
② 子外壳采用特殊的工程塑胶，强度高、寿命长；
③ 采用大电流进口镀镍金pogopin，过流能力强，接触阻抗小、弹性好、寿命长；
④ 金层加厚，触点加厚电镀，接触稳定超低接触阻抗、抗氧化程度高；
⑤ 用于pdfn/toll/to/sot等封装的大功率mos场效应管器件；
大电流大功率老化座的材料特性：
①socket本体：pei；
②探针材料：铍铜；
③针镀层：镍金；
④作压力：30.0g@pin，pin越多压力越大；
⑤绝缘阻抗：1,000mω 500vdc；
⑥接触阻抗：＜100mω；
⑦使用温度：-55℃~175℃@3000小时；
⑧机械寿命：15000次；
此外我司还有包括下列产品的老化测试座
pdfn5*6封装的n p双沟ap15g04df场效应管mos管老化座。
pdfn3333封装n通道vs3618be场效应管mos管老化座。
pdfn3*3封装以pdfn5*6封装n沟道mos场效应管老化夹具。
toll-8*10封装的东芝tk065u65z场效应管mos管老化座。
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此外还支持非标准封装的ic老化测试座一件起订服务，需求量庞大的情况下可采用开模具注塑的形式降低生产成本的同时缩短生产周期。
鸿怡电子在生产pdfn/toll/to等封装的大电流大功率半导体器件mos场效应管老化测试座测试夹具工装老化插座socket，同时还生产其他种类齐全的芯片封装测试座/老化座/烧录座/测试夹具/bga/emmc/emcp/qfp/qfn/sop/sot/ddr/fpc/connector/imu socket等。
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