鸿怡电子芯片测试工程师:qfn芯片测试座的特点、参数、结构,qfn芯片测试座选配-九游会平台
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浏览:- 发布日期:2023-12-18 10:53:59【 】

qfn/dfn封装翻盖/下压结构测试座支持eeprom,驱动器ic,电源ic

qfn测试座图纸

鸿怡电子qfn芯片测试座工程师介绍:qfn芯片测试座、老化座、烧录座—009系列,下压开窗结构,适用自动化测试机台

qfn芯片下压测试座

 

qfn芯片测试座特点与参数:

1socket壳体:pei

2、弹片材料:铍铜

3、弹片镀层:镍金

4、操作压力:2.0kgmin,与pin数成正比

5、接触阻抗:50mωmax

6、耐压测试:700v ac for lminute

7、绝缘阻抗:1000mω500v dc

8、最大电流:1a

9、使用温度:-40°c- 155°c

10、机械寿命:10000(机械测试)

 

qfn封装系列芯片测试座0.35mm间距:

qfn测试座规格参数

qfn封装系列芯片测试座:0.4mm间距:

qfn测试座规格参数-1

qfn测试座规格参数-1-1

qfn测试座规格参数-4

qfn封装系列芯片测试座:0.5mm间距:

qfn测试座规格参数-2

qfn测试座规格参数-3

qfn封装系列芯片烧录座:

qfn芯片烧录座

 

qfn系列芯片老化测试座:(鸿怡qfn芯片测试座工程师提供资料)

适用规格:16~88pin,0.40.5引脚间距qfnic

支持频率:≤300mhz

温度范围:-40℃~155℃

操作力压:35gpinpin越多需要压力越大

额定电流:pin1a

接触电阻:≤100毫欧

绝缘电阻:dc500v1000兆欧以上

qfn老化测试座

 

pcb转接板烧录座:

qfn芯片测试座带pcb转接板

 

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