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浏览:- 发布日期:2022-10-26 12:14:26【 】

与传统硅基设备相比,第三代半导体材料制备的半导体设备不仅体积小,重量轻,而且功率输出密度高,能量转换效率高,可显著提高系统设备的性能。还具有大电流、大电压的特点,常见用于车规芯片和5g运用等,与之匹配的第三代半导体芯片老化测试的特点-自动化测试(ate测试)-下压老化座应运而生。


半导体芯片测试

 

第三代半导体

1、发展迅速,gansic功率器件(均有对应的老化座、测试座)逐渐开始大规模应用。与传统的硅衬底相比,第三代化合物半导体具有带宽大、穿透电场强度高、电子迁移率高、导热率高、介质常数小、抗辐射能力强等特点。因此,由第三代化合物半导体制成的功率装置具有较高的性能和效率。第三代半导体在射频和功率方面具有明显的应用前景。由于生产规模相对较小,生产技术需要成熟,产品价格相对较高,性价比较低,应用受到很大限制。

 

2更适合制造高温、高频、抗辐射和大功率设备。与硅基半导体相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的导热性和更高的抗辐射性,特别是在汽车电子、快速充电和新能源领域。

 

3主要是宽带半导体原料,如氮化镓、碳化硅和硒化锌。更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件(功率器件测试座/老化座。据报道,国家计划大力支持第三代半导体产业的发展“十四五”在规划教育、科研、开发、融资、应用等方面为第三代半导体的发展提供了广泛的支持。以实现产业独立。

 

特点:

sic第三代半导体材料是继硅材料之后最有前途的半导体材料之一。与硅材料相比,由碳化硅晶片制成的半导体器件具有高功率、耐高压、耐高温、高频、能耗低、抗辐射能力强等优点,可广泛应用于新能源汽车(高温老化座、高频测试座)5g现代工业领域,如通信、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等,需求迅速增长。第三代半导体产业是中国“新基建”战略的重要组成部分,有望引发科技改革,重塑国际半导体产业格局。

 

碳化硅与硅相比(sic)和氮化镓(gan)第三代半导体具有效率高、能耗低、散热快等特点。第三代半导体设备可提供高压、高速开关和低导电阻。鉴于该特性,其将成为有助于降低能耗和缩小系统尺寸的下一代低损耗器件。


功率器件测试

趋势:

目前国家芯片发展的趋势主要集中在大而厚的主控类芯片 flash 第三代半导体

九游会平台-j9九游会登陆入口的众多行业运用过程中,整理了3个系列的封装老化测试座案例,仅供参考,欢迎留言讨论:

1、to封装系列:to247to252to263to 250测试座/老化座

2、qfn封装系列:qfn5*6qfn8*8qfn8*11.2qfn 3.2*3.2qfn2*3测试座/老化座

3、igbtipmdsc系列功率器件、高温、高频测试座/老化座

 

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