ddr3/4内存条测试方法及其测试治具|鸿怡动态 -九游会平台
您好,欢迎来到深圳市鸿怡电子有限公司j9九游会登陆入口官网
鸿怡测试座耐高低温、抗老化、寿命长,世界500强企业指定供应商。
当前位置九游会平台-j9九游会登陆入口 » 鸿怡电子新闻中心 » 新闻中心 » 鸿怡动态 » ddr3/4内存条测试方法及其测试治具
返回列表 来源:鸿怡电子 查看手机网址
扫一扫!扫一扫!
浏览:- 发布日期:2019-01-09 16:11:50【 】

如今,存储器件在计算机、汽车与消费电子产品上可谓无所不在。其中ddr sdram是最常用的存储器设计技术之一,而随着该技术的发展,其传输速率在日益加快,功耗在日益降低。

传输速度加快使得此类存储器的验证难度呈指数上升。

那么ddr内存的测试方法有哪些呢?

jedec规范定义了 dram的引脚或球必须满足的电气与时序方面的要求。一些较新的ddr dram采用了精细球栅阵列(fbga)封装,此封装下的焊接球很难接触。因此,我们建议测量时,探头应尽可能接近dram的球状焊点。通常,我们可以在与焊接球相连的过孔上或与其相连的电阻靠近dram一侧的焊盘上测量。同一根数据总线上的ddr数据传输是双向的。这使ddr信号验证变得非常困难,因为我们首先必须分离数据总线上复杂的数据流才能对其进行信号完整性测量。

因为ddr3总线测试信号多,测试参数多,测试工作量非常大,如果不使用自动化的方案,按jedec规范完全测完要求的参数可能需要1到2周的时间。而自动化测试软件可以帮助解决测试工作量的问题,正确使用的话,可以把测试时间从1-2周缩小到1-2天。

所以,建议使用ddr内存条测试治具配合自动化测试软件进行测试,这是提高效率的一种方法。鸿怡电子生产的ddr内存颗粒测试治具采用最新的导电胶设计,相比常规的探针治具,导电胶内存条测试治具可过更高频率,耐更大更流。测试更稳定,并且在遇到高电流时不会发生烧针的情况。


推荐阅读

【本文标签】:ddr测试治具 内存颗粒测试治具 ddr内存条测试夹具
【责任编辑】:鸿怡电子九游会平台的版权所有:九游会平台-j9九游会登陆入口转载请注明出处
网站地图